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光耦繼电器與三相期货配资有何區别?

編輯:闪电配资時間:2018-06-21

1、性能特點:

光耦繼电器:电壓低,电流低,速度快,封裝小,经濟。


三相期货配资:电壓高,电流高,速度慢,封裝大,价格稍高。


2、工作原理:


  可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。


    當陽極A加上正向电壓時,BG1和BG2管均處于放大狀态。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信号,BG2便有基流ib2流過,经BG2放大,其集电極电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电極电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这個电流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向反饋循環的結果,兩個管子的电流劇增,可控矽使飽和導通。


由于BG1和BG2所構成的正反饋作用,所以一旦可控矽導通後,即使控制極G的电流消失了,可控矽仍然能夠維持導通狀态,由于觸發信号隻起觸發作用,沒有關斷功能,所以这種可控矽是不可關斷的。


由于可控矽隻有導通和關斷兩種工作狀态,所以它具有開關特性,这種特性需要一定的條件才能轉化。


狀态說明


從關斷到導通


1、陽極电位高于是陰極电位


2、控制極有足夠的正向电壓和电流


 兩者缺一不可


維持導通


1、陽極电位高于陰極电位


2、陽極电流大于維持电流


 兩者缺一不可


從導通到關


1、陽極电位低于陰極电位


2、陽極电流小于維持电流


 任一條件即可  


 


3、基本伏安特性


(1)反向特性


當控制極開路,陽極加上反向电壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時隻能流過很小的反向飽和电流,當电壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿电壓後,接差J3結也擊穿,电流迅速增加,特性發生了彎曲,彎曲處的电壓URO叫“反向轉折电壓”。此時,可控矽會發生永久性反向擊穿。


(2)正向特性


當控制極開路,陽極上加上正向电壓時,J1、J3結正偏,但J2結反偏,这與普通PN結的反向特性相似,也隻能流過很小电流,这叫正向阻斷狀态,當电壓增加,特性發生了彎曲,彎曲處的是UBO叫,正向轉折电壓


 陽極加正向电壓


由于电壓升高到J2結的雪崩擊穿电壓後,J2結發生雪崩倍增效應,在結區産生大量的电子和空穴,电子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的电子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的电子複合,雪崩擊穿,進入N1區的电子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉,这樣,在N1區就有电子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的电位升高,N1區的电位下降,J2結變成正偏,隻要电流稍增加,电壓便迅速下降,出現所謂負阻特性。


这時J1、J2、J3三個結均處于正偏,可控矽便進入正向導电狀态---通态,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似


 


4、觸發導通


在控制極G上加入正向电壓時因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的电子進入P2區,形成觸發电流IGT。在可控矽的内部正反饋作用的基礎上,加上IGT的作用,使可控矽提前導通,導致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。


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